| 专利名称 | 一种晶圆级传感器气密性检测装置及方法 | 申请号 | CN201610971905.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106595975A | 公开（授权）日 | 2017.04.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 焦斌斌;孔延梅;云世昌;陈大鹏 | 主分类号 | G01M3/16(2006.01)I | IPC主分类号 | G01M3/16(2006.01)I | 专利有效期 | 一种晶圆级传感器气密性检测装置及方法 至一种晶圆级传感器气密性检测装置及方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及传感器技术领域，尤其涉及一种晶圆级传感器气密性检测装置及方法，包括晶圆级传感器本体和电容检测单元；晶圆级传感器本体包括衬底、传感器件、盖设结构和引线焊盘；盖设结构键合在衬底上，盖设结构和衬底之间形成有真空腔室；传感器件和电容检测单元均制作在真空腔室内的衬底上；引线焊盘制作在位于真空腔室外的衬底上；电容检测单元通过引线与引线焊盘连接。本发明通过在晶圆级传感器本体的真空腔室内设置电容检测单元，在将晶圆级传感器本体放置于真空检测室中后，根据在真空检测室处于不同气压的条件下电容检测单元的相对介电常数的变化，能够确定出晶圆级传感器本体的气密性，实现了对晶圆级传感器气密性的准确检测。 |
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