| 专利名称 | 一种高致密的碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法 | 申请号 | CN201610990055.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106588060A | 公开（授权）日 | 2017.04.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 董绍明;钟强;张翔宇;阚艳梅;高乐;周海军;胡建宝 | 主分类号 | C04B35/80(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/80(2006.01)I;C04B35/573(2006.01)I | 专利有效期 | 一种高致密的碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法 至一种高致密的碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种高致密的碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法，包括：采用含有高产碳率树脂、低残碳率有机聚合物的前驱体液浸渍纤维预制体中，裂解后获得纤维/C熔渗预制体；以及将熔融的Si或熔融的Si与金属的合金渗入所述纤维/C熔渗预制体中进行熔渗反应，得到所述碳化硅陶瓷基复合材料。本发明通过添加低残碳率聚合物改变熔渗预制体中树脂裂解形成的碳的结构，促进反应熔渗时硅和碳的接触和反应，熔渗后金属在基体中呈弥散状分布并且有效避免了块状残余碳和块状残余金属的产生，从而显著提高复合材料的力学性能和热导率。 |
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