| 专利名称 | 一种P型鳍式场效应晶体管及制造方法 | 申请号 | CN201510627918.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106558612A | 公开（授权）日 | 2017.04.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 张严波;殷华湘;朱慧珑;赵超 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 一种P型鳍式场效应晶体管及制造方法 至一种P型鳍式场效应晶体管及制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种P型鳍式场效应晶体管，包括：衬底；鳍体，位于所述衬底上，所述鳍体包括：第一部分、第二部分，且所述第二部分材料的价带顶高于所述第一部分材料的价带顶，二者价带顶之差大于鳍式场效应晶体管FinFET的工作电压与单位电荷之积；隔离，部分填充于所述鳍体之间；栅堆叠，位于所述鳍体之上并垂直于所述鳍体，所述栅堆叠包括栅极和栅介质层；源/漏区，位于所述栅极两侧的鳍体上。本发明提供的FinFET由于所述鳍体的第二部分材料的价带顶高于所述第一部分材料的价带顶，之差大于鳍式场效应晶体管FinFET的工作电压与单位电荷之积，使所述第一部分作为阻挡层减小所述第二部分与所述衬底之间的漏电流。 |
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