| 专利名称 | 一种新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构 | 申请号 | CN201822082080.6 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN209017001U | 公开（授权）日 | 2019.06.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所; 郑州科之诚机床工具有限公司 | 发明（设计）人 | 谢波玮; 丁发柱; 古宏伟; 商红静; 董泽斌; 黄大兴; 许文娟; 苏广辉 | 主分类号 | H03H9/02 | IPC主分类号 | H03H9/02; H01L41/02; H01L41/08 | 专利有效期 | 一种新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构 至一种新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构，该芯片结构包括：声表面波或横波激励体声波微波器件芯片电路和芯片基体，芯片基体上设置有第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽内填充有第一压电材料，第一压电材料上设置有第一电极，第一电极的一端和第一压电材料相连，另一端和芯片电路的信号输入端相连；第二凹槽内填充有第二压电材料，第二压电材料上设置有第二电极，第二电极的一端和第二压电材料相连，另一端和芯片电路的信号输出端相连。本实用新型提供的一种新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构，降低了器件的传输损耗及微波插入损耗，提高了器件的频率及品质因数等性能。 |
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