| 专利名称 | 一种高灵敏度次声传感器 | 申请号 | CN201822228481.8 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN209044067U | 公开（授权）日 | 2019.06.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院声学研究所 | 发明（设计）人 | 李超; 林伟军; 崔寒茵 | 主分类号 | G01V1/00 | IPC主分类号 | G01V1/00 | 专利有效期 | 一种高灵敏度次声传感器 至一种高灵敏度次声传感器 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种高灵敏度次声传感器，包括：次声接收装置和膜振动光纤测量装置两个部分。其中，次声接收装置包括：前腔和后腔；其中，前腔顶面设置有进气口，前腔与后腔之间设有第一开口和第二开口，第一开口处设置有均压管，均压管使前腔与后腔连通，第二开口处设置有膜片，所诉后腔内位于第二开口处设有固定装置。膜振动光纤测量装置包括：光纤、耦合器、光探测器和单色光源，光纤一端通过固定装置固定，且端面与膜片平行，光纤另一端从后腔底面穿出并连接耦合器。运用光学测量膜片的振动信息，突出光学干涉测量位移的高灵敏度，可以测量到膜片纳米级的振动，能够实现次声传感器的高灵敏度。 |
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