| 专利名称 | 一种用于高功率激光测量的制冷型高信噪比探测装置 | 申请号 | CN201821811105.5 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN209043456U | 公开（授权）日 | 2019.06.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 余建成; 张伟刚; 寇经纬; 王彦超; 眭越 | 主分类号 | G01J1/42 | IPC主分类号 | G01J1/42; G01J1/44 | 专利有效期 | 一种用于高功率激光测量的制冷型高信噪比探测装置 至一种用于高功率激光测量的制冷型高信噪比探测装置 | 法律状态 | 说明书摘要 | 为解决现有探测装置动态范围小、信噪比低、可靠性较低、集成度低、功耗较大的问题，本实用新型提供了一种用于高功率激光测量的制冷型高信噪比探测装置，包括置于真空腔体中的像元尺寸大于13um，读出噪声小于5e‑，响应非均匀性小于1％的CCD芯片；为CCD芯片提供工作电压、根据设定参数为CCD芯片提供正确的驱动信号和驱动时序，及控制CCD芯片正常工作的CCD驱动单元；低噪声的信号调理转换单元；用于存储信号调理转换单元输出数字信号的数据存储单元；用于控制CCD驱动单元、信号调理转换单元、数据存储单元工作，及接收、解析、响应、执行上位机命令的控制单元；用于对CCD芯片进行制冷的制冷单元。本实用新型具有信噪比高、动态范围大、可靠性高、功耗低的优点。 |
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