| 专利名称 | 用于SiC等离子体氧化的微波等离子体发生装置 | 申请号 | CN201810521197.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108735570A | 公开（授权）日 | 2018.11.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘新宇;汤益丹;王盛凯;白云;杨成樾 | 主分类号 | H01J37/32(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J37/32(2006.01)I | 专利有效期 | 用于SiC等离子体氧化的微波等离子体发生装置 至用于SiC等离子体氧化的微波等离子体发生装置 | 法律状态 | 公开 | 说明书摘要 | 一种用于SiC等离子体氧化的微波等离子体发生装置，包括外腔体和设置在所述外腔体内的多个微孔/微纳结构双耦合谐振腔，其中所述谐振腔包括一圆柱形腔体，所述圆柱形腔体的周壁上均匀分布由多个微孔形成的微孔阵列，所述微孔的直径是波长的奇数倍，所述腔体的内壁上具有金属微纳结构，所述金属微纳结构的周期尺寸为λ/n，λ为入射波长，n为谐振腔材料的折射率，所述外腔体上设置有进气口，用于向所述外腔体内输送含氧气体，所述含氧气体在所述谐振腔周围形成用于氧化SiC的氧等离子体，所述谐振腔的下方设置有载物台。本发明的微波等离子体发生装置可实现高效、均匀性良好的SiC样品的氧化。 |
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