| 专利名称 | 制备氮化镓基纳米环结构的方法 | 申请号 | CN201810498089.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108682723A | 公开（授权）日 | 2018.10.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 刘喆;冯梁森;张宁;王军喜;李晋闽 | 主分类号 | H01L33/20(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/20(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I | 专利有效期 | 制备氮化镓基纳米环结构的方法 至制备氮化镓基纳米环结构的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种制备氮化镓基纳米环结构的方法，包括：在GaN外延片上旋涂一层聚合物，进行第一次纳米压印；压印结束后移去第一块纳米压印模板，使聚合物呈现与第一块纳米压印模板互补的图形；去除图形凹槽底部的聚合物；将聚合物图形转移到GaN外延片上，并对GaN外延片进行清洗，去掉聚合物；在GaN外延片上再次旋涂聚合物，将第二块纳米压印模板压在第二次旋涂的聚合物上面，进行第二次纳米压印，形成图形；进行脱模和等离子体轰击；在GaN外延片上图形的表面蒸镀一层ITO或金属作为掩膜，采用剥离的方法去掉GaN外延片表面的聚合物；刻蚀，得到纳米环结构；湿法腐蚀去掉ITO或者金属和聚合物，完成纳米环结构的制备。 |
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