| 专利名称 | 镓镱离子共掺YAG超快闪烁晶体及其制备方法 | 申请号 | CN201810130637.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108396383A | 公开（授权）日 | 2018.08.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 齐红基;靳亚雪;潘明艳;邵建达;顾国瑞 | 主分类号 | C30B29/28(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/28(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;C09K11/80(2006.01)I | 专利有效期 | 镓镱离子共掺YAG超快闪烁晶体及其制备方法 至镓镱离子共掺YAG超快闪烁晶体及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种镓镱离子共掺YAG超快闪烁晶体及其制备方法，镓和镱离子共掺YAG晶体的化学式为(Yb0.1Y0.9)3Al5?xGaxO12，式中x＝1，2，3，4，5，x为Ga离子的掺杂量，Ga离子进入晶体取代Al离子，Yb离子的掺杂量为10％，Yb离子进入晶体取代Y离子格位。本发明制备的(Yb0.1Y0.9)3Al5?xGaxO12超快闪烁晶体减小了带隙，湮没了反位缺陷，具有光产额高、抗辐照损伤强等优点，可应用于超快脉冲辐射探测、高能物理等领域。 |
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