| 专利名称 | 纳米材料的图形化方法 | 申请号 | CN201611252490.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108263106A | 公开（授权）日 | 2018.07.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 袁伟;崔铮;顾唯兵;林剑 | 主分类号 | B41M1/12(2006.01)I | IPC主分类号 | B41M1/12(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 纳米材料的图形化方法 至纳米材料的图形化方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种纳米材料的图形化方法，所述图形化方法包括以下步骤：提供一网板、一滤膜及一衬底；将所述网板覆盖于所述滤膜上，丝网印刷聚合物浆料，在所述滤膜的表面形成一图形化的聚合物浆料层；在所述聚合物浆料层的图形化区域沉积纳米材料，形成纳米材料结构；将所述纳米材料结构转印至所述衬底上。本发明提供的纳米材料的图形化方法，通过丝网印刷形成图像化的聚合物浆料层，然后在所述聚合物浆料层的图形化区域沉积纳米材料，形成图形化的纳米材料结构；最后将所述纳米材料结构转印至所述衬底上。所述图像化方法能够有效的实现纳米材料的图形化，提升纳米材料的图形化质量。 |
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