| 专利名称 | 一种硅基多刺状纳米锥有序阵列的制备方法及其应用 | 申请号 | CN201711185387.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN108046211A | 公开（授权）日 | 2018.05.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 刘广强;杨绍松;赵倩;郭静;蔡伟平 | 主分类号 | B82B3/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B82B3/00(2006.01)I;B82B1/00(2006.01)I;B82Y20/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种硅基多刺状纳米锥有序阵列的制备方法及其应用 至一种硅基多刺状纳米锥有序阵列的制备方法及其应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种硅基多刺状纳米锥有序阵列的制备方法及其应用，包括：在硅片基底上制备紧密排列的单层有序PS球阵列；对硅片基底单层有序PS球阵列进行加热，再采用反应离子刻蚀法进行刻蚀，并且在刻蚀过程中至少对刻蚀电流进行一次大小调整，然后在刻蚀完成后去除硅片基底上的单层有序PS球阵列，从而制得硅基多刺状纳米锥有序阵列。以硅基多刺状纳米锥有序阵列为模板，采用物理沉积方法在其表面沉积一层金膜，制得沉积有金膜的硅基多刺状纳米锥有序阵列，可将其直接作为表面增强拉曼效应的衬底材料。本发明不仅制备方法简单、操作方便、成本低廉、经济环保，而且所制得的硅基多刺状纳米锥有序阵列构造面积大、均一性好、表面洁净、灵敏度高、检测性好。 |
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