| 专利名称 | 半导体装置及其制造方法 | 申请号 | CN201711290244.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107818943A | 公开（授权）日 | 2018.03.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体装置及其制造方法 至半导体装置及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 提供了一种半导体装置及其制造方法。一示例装置可以包括：体半导体衬底；在衬底上形成的彼此相邻的第一FinFET和第二FinFET，其中第一FinFET包括第一鳍以及与第一鳍相交的第一栅堆叠，第二FinFET包括第二鳍以及与第二鳍相交的第二栅堆叠，其中第一鳍和第二鳍沿相同的方向延伸且在该方向上对准；设于第一鳍与第二鳍之间的第一隔离部；以及位于第一隔离部下方、第一FinFET与第二FinFET之间的区域中的第二隔离部，用于降低第一FinFET和第二FinFET之间的穿通。 |
1、源头对接，价格透明
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