| 专利名称 | 一种自下而上生长AlGaN基紫外及深紫外探测器阵列的方法 | 申请号 | CN201710879804.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107681017A | 公开（授权）日 | 2018.02.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 黎大兵;孙晓娟;贾玉萍;刘贺男;宋航;李志明;陈一仁;蒋红;张志伟 | 主分类号 | H01L31/105(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/105(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种自下而上生长AlGaN基紫外及深紫外探测器阵列的方法 至一种自下而上生长AlGaN基紫外及深紫外探测器阵列的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种自下而上生长AlGaN基紫外及深紫外探测器阵列的方法，属于半导体技术领域。本发明解决了AlGaN基探测器阵列制备过程中，刻蚀工艺需要有毒气体、刻蚀工艺复杂、刻蚀后器件存在漏电通道的问题，所述方法包括以下步骤：(1)生长N型AlGaN基材料；(2)制备掩膜材料；(3)制备生长窗口；(4)生长I型AlGaN基材料和P型AlGaN基材料；(5)分别在N型AlGaN基材料和P型AlGaN基材料上制备欧姆接触电极。本发明方法避免了AlGaN基探测器阵列制备过程中有毒气体的使用，解决了刻蚀台面存在漏电通道的问题，并且工艺简单，成本低廉，具有广阔的应用前景。 |
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