| 专利名称 | 一种在高温高压下生长菱镁矿单晶的方法 | 申请号 | CN201710788068.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107675256A | 公开（授权）日 | 2018.02.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院地球化学研究所 | 发明（设计）人 | 梁文;李和平;李泽明;尹远;李瑞 | 主分类号 | C30B29/22(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/22(2006.01)I;C30B1/12(2006.01)I | 专利有效期 | 一种在高温高压下生长菱镁矿单晶的方法 至一种在高温高压下生长菱镁矿单晶的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种在高温高压下生长菱镁矿单晶的方法，按照化学计量摩尔比1:1将三水碳酸镁和无水草酸称量混合，使用压片机将混合物压成圆柱形，然后将样品塞入铂金管中，两端使用焊枪密封，以h?BN为传压介质，将铂金密封的样品置于h?BN管中，将装在h?BN管的样品组装在高压合成组装块中并放置在六面顶大压机进行高温高压反应，将反应后的样品取出，使用金刚石切刀打开铂金管，在显微镜下挑选菱镁矿单晶，晶体呈现菱形板状，平均尺寸200μm，最大尺寸500μm。本发明解决了现有菱镁矿单晶生长技术操作过程复杂、实验重复性差、反应时间过长、获得的菱镁矿单晶尺寸小等技术问题。 |
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