| 专利名称 | 鼎状四胺芘及制备方法、鼎状四胺芘薄膜修饰的电极及制备方法 | 申请号 | CN201710954211.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107674021A | 公开（授权）日 | 2018.02.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 钟羽武;唐健洪;邵将洋 | 主分类号 | C07D213/38(2006.01)I | IPC主分类号 | C07D213/38(2006.01)I;C07C255/58(2006.01)I;C07C253/30(2006.01)I;C07C229/60(2006.01)I;C07C227/18(2006.01)I | 专利有效期 | 鼎状四胺芘及制备方法、鼎状四胺芘薄膜修饰的电极及制备方法 至鼎状四胺芘及制备方法、鼎状四胺芘薄膜修饰的电极及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 |
本发明涉及一种鼎状四胺芘及制备方法、鼎状四胺芘薄膜修饰的电极及制备方法，属于电极表面修饰材料技术领域，解决了现有技术中界面修饰方法采用的桥联分子体系合成难、稳定性差以及表面吸附效率低的问题。该鼎状四胺芘，具有如下结构，采用1,3,6,8?四溴芘与二芳胺衍生物在钯催化剂的催化下发生偶联反应制得。本发明提供的鼎状四胺芘可用于修饰电极。 |
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