| 专利名称 | 层间距可控的氧化石墨烯膜及其制备方法、应用 | 申请号 | CN201610575159.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107640765A | 公开（授权）日 | 2018.01.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海应用物理研究所;上海大学 | 发明（设计）人 | 方海平;吴明红;石国升;徐刚;陈亮 | 主分类号 | C01B32/198(2017.01)I | IPC主分类号 | C01B32/198(2017.01)I;B01D71/02(2006.01)I;B01D69/02(2006.01)I;B01D67/00(2006.01)I;B01D61/00(2006.01)I | 专利有效期 | 层间距可控的氧化石墨烯膜及其制备方法、应用 至层间距可控的氧化石墨烯膜及其制备方法、应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 |
本发明公开了一种层间距可控的氧化石墨烯膜及其制备方法、应用。其制备方法包括下述步骤：将氧化石墨烯膜浸润在盐的水溶液A中浸润至溶胀后，即得层间距可控的氧化石墨烯膜；盐的水溶液A为含有金属阳离子的溶液，金属阳离子的浓度为0.25～2.5mol/L。本发明可精确控制氧化石墨烯膜的层间通道的尺寸在 |
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