| 专利名称 | 一种碳焊结构单壁碳纳米管柔性透明导电薄膜及制备方法 | 申请号 | CN201610459221.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107527673A | 公开（授权）日 | 2017.12.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 侯鹏翔;蒋松;刘畅;成会明 | 主分类号 | H01B1/04(2006.01)I | IPC主分类号 | H01B1/04(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I | 专利有效期 | 一种碳焊结构单壁碳纳米管柔性透明导电薄膜及制备方法 至一种碳焊结构单壁碳纳米管柔性透明导电薄膜及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及高性能柔性透明导电薄膜制备领域，具体为一种碳焊结构单壁碳纳米管柔性透明导电薄膜及制备方法。在浮动催化剂化学气相沉积法生长单壁碳纳米管的过程中，通过降低催化剂和碳源浓度及在恒温区的停留时间，使得部分被催化剂分解的碳源形成sp2碳岛，焊接在单根单壁碳纳米管间的交叉点，最终形成具有sp2碳岛焊接结构的单壁碳纳米管薄膜，该结构薄膜具有优于柔性基底上ITO薄膜的光电性能、化学稳定性和柔性。本发明通过设计制备碳焊结构联结的单根碳纳米管，降低了碳纳米管间的接触电阻、抑制了管束形成及对光的大量吸收，获得了高性能柔性透明导电薄膜，对于推动碳纳米管薄膜在高性能光电器件领域的应用具有重要意义。 |
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