| 专利名称 | 一种降低Ni/n?Si光阳极光电化学分解水开启电位的方法 | 申请号 | CN201710949886.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107513723A | 公开（授权）日 | 2017.12.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 佘广为;李生阳;师文生 | 主分类号 | C25B11/06(2006.01)I | IPC主分类号 | C25B11/06(2006.01)I;C25B1/04(2006.01)I | 专利有效期 | 一种降低Ni/n?Si光阳极光电化学分解水开启电位的方法 至一种降低Ni/n?Si光阳极光电化学分解水开启电位的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种降低Ni/n?Si光阳极光电化学分解水开启电位的方法，通过对制备的Ni/n?Si光阳极进行一个简单的快速热处理过程，减少了存在于Ni/n?Si界面之间的界面态，解除了这些界面态引起的费米能级钉扎效应，提高了Ni/n?Si所形成的肖特基势垒高度，从而在光照时Ni/n?Si光阳极产生更高的光生电压，最终降低了Ni/n?Si光阳极光电化学分解水开启电位。该降低Ni/n?Si光阳极光电化学分解水开启电位的方法操作简单，成本低廉，适合大规模应用到金属/n?Si光阳极系统中，对于促进光电化学分解水技术的发展和应用具有积极意义。 |
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