| 专利名称 | 一种中间带半导体材料及其制备方法和应用 | 申请号 | CN201710481073.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107381623A | 公开（授权）日 | 2017.11.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 黄富强;孙宝华;王东 | 主分类号 | C01G17/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C01G17/00(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;H01L31/042(2014.01)I | 专利有效期 | 一种中间带半导体材料及其制备方法和应用 至一种中间带半导体材料及其制备方法和应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种中间带半导体材料及其制备方法和应用，所述中间带半导体材料是位于P2/c空间群的单斜结构，化学式为K2Cu2GeS4。本发明提供的半导体材料K2Cu2GeS4的带隙为2.3?eV，太阳光谱吸收的最佳带隙范围为0.8?1.8?eV，而在K2Cu2GeS4的带间引入一个中间带，中间带和价带之间的能隙值为1.3?eV，正好在太阳光最佳吸收光谱范围。 |
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