专利名称 | 一种激光加工晶圆的方法及系统 | 申请号 | CN201710575307.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开(公告)号 | CN107378258A | 公开(授权)日 | 2017.11.24 | 申请(专利权)人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明(设计)人 | 张紫辰;刘嵩;侯煜 | 主分类号 | B23K26/364(2014.01)I | IPC主分类号 | B23K26/364(2014.01)I;B23K26/70(2014.01)I | 专利有效期 | 一种激光加工晶圆的方法及系统 至一种激光加工晶圆的方法及系统 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种激光加工晶圆的方法及系统,所述方法包括:获取晶圆上表面Low?K层的厚度信息;根据厚度信息控制相控型硅基液晶对激光光束进行调制,以使激光光束对晶圆上表面Low?K层进行刻蚀。本发明能够通过对晶圆上表面Low?K层的厚度进行实时检测并获取厚度信息,然后通过相控型硅基液晶根据所述厚度信息对激光光束进行调制,进而通过对激光光束的精确控制实现晶圆上表面Low?K层加工得到可定制形沟槽结构,并提高了激光加工晶圆的工作效率、激光加工精度以及分离晶圆的均匀性。 |
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