| 专利名称 | 光纤温度传感器及其硫化镉薄膜的制备方法 | 申请号 | CN201610316151.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107365983A | 公开（授权）日 | 2017.11.21 | 申请（专利权）人 | 深圳先进技术研究院 | 发明（设计）人 | 董玉明;岳孟果;杨春雷;冯丽丽;焦国华;鲁远甫;罗阿郁;吕建成 | 主分类号 | C23C18/31(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C18/31(2006.01)I;G01K11/32(2006.01)I | 专利有效期 | 光纤温度传感器及其硫化镉薄膜的制备方法 至光纤温度传感器及其硫化镉薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种光纤温度传感器硫化镉薄膜的制备方法，包括如下步骤：将光纤固定于插芯后，将所述光纤的裸露端面打磨；镀膜：将硫脲、硫酸镉和氨水按照质量?体积比为5.694g:0.184g：45mL混合溶于去离子水中形成反应液；然后将所述裸露端面插入所述反应液中，利用化学水浴法在温度为65℃，反应9min，完成一次硫化镉薄膜的镀膜；重复所述镀膜步骤至n次，获得沉积有n+1层硫化镉薄膜的裸露端面，n为大于0的自然数；将经过所述重复镀膜步骤获得的光纤在200℃温度下退火处理。本发明采用化学水浴法镀硫化镉薄膜，这种方法可使硫化镉膜与光纤端面紧密结合，且镀膜厚度可控。 |
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