| 专利名称 | 硅锗合金基热电元件及其制备方法 | 申请号 | CN201610209313.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107293635A | 公开（授权）日 | 2017.10.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 夏绪贵;吴洁华;杨小燕;顾明;陈立东 | 主分类号 | H01L35/32(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L35/32(2006.01)I;H01L35/08(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I | 专利有效期 | 硅锗合金基热电元件及其制备方法 至硅锗合金基热电元件及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及硅锗合金基热电元件及其制备方法，所述硅锗合金基热电元件由电极层、硅锗合金基热电层以及位于电极层与硅锗合金基热电层之间的阻挡层组成，所述阻挡层为钛化合物、由钛化合物与氮化硅组成的混合物、由钛化合物与氮化硅形成的梯度结构材料中的至少一种，所述钛化合物为硼化钛、碳化钛、铝化钛、镍化钛、氮化钛、碳氮化钛、硅化钛、碳硅钛中的至少一种。本发明提供的硅锗合金基热电元件中各界面结合良好，界面处未见裂纹，接触电阻小，热接触状态好，且能够经受长时间的高温加速试验。本发明提供的制备方法具有工艺简单、可靠性高、成本低、无需特殊设备、适合规模化生产等特点。 |
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