| 专利名称 | 具有高光电响应率的黑磷晶体、其制备方法及应用 | 申请号 | CN201610202569.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107285289A | 公开（授权）日 | 2017.10.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 张凯;张跃钢;徐轶君 | 主分类号 | C01B25/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B25/02(2006.01)I;C30B29/02(2006.01)I;C30B7/00(2006.01)I;H01L31/09(2006.01)I | 专利有效期 | 具有高光电响应率的黑磷晶体、其制备方法及应用 至具有高光电响应率的黑磷晶体、其制备方法及应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 |
本发明公开了一种具有高光电响应率的黑磷晶体、其制备方法及应用。所述具有高光电响应率的黑磷晶体为单晶，空间点群Cmca(no.64)，晶胞参数为 |
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