| 专利名称 | TE偏振的单脊结构1×5分束光栅 | 申请号 | CN201710576263.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107272099A | 公开（授权）日 | 2017.10.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 项长铖;周常河;吴俊 | 主分类号 | G02B5/18(2006.01)I | IPC主分类号 | G02B5/18(2006.01)I;G02B27/28(2006.01)I | 专利有效期 | TE偏振的单脊结构1×5分束光栅 至TE偏振的单脊结构1×5分束光栅 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种用于1550纳米波长的TE偏振的单脊结构1×5分束光栅，该光栅的光栅周期为3010～3020纳米，脊宽为1505～1510纳米，刻蚀深度为2270～2278纳米。当1550纳米波长的TE偏振光垂直入射时，其透射光将分成等强度的5束光，其衍射效率大于97％，分束均匀性优于1.5％。本发明TE偏振的单脊结构1×5分束光栅由电子束直写装置结合微电子深刻蚀工艺加工而成，取材方便，造价小，能大批量生产，具有重要的实用前景。 |
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