| 专利名称 | 一种提高硅酸铋闪烁晶体近紫外波段透过率的方法 | 申请号 | CN201610210944.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107268086A | 公开（授权）日 | 2017.10.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 熊巍;周尧;陈良;袁晖 | 主分类号 | C30B33/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B33/02(2006.01)I;C30B29/34(2006.01)I | 专利有效期 | 一种提高硅酸铋闪烁晶体近紫外波段透过率的方法 至一种提高硅酸铋闪烁晶体近紫外波段透过率的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种提高硅酸铋闪烁晶体近紫外波段透过率的方法，所述方法包括将硅酸铋闪烁晶体在高纯氮气气氛中于600～800℃进行热处理6～20小时以使硅酸铋闪烁晶体中的氧杂质扩散出来从而提高硅酸铋闪烁晶体在近紫外波段透过率。本发明通过在特定的气氛、温度条件下对硅酸铋晶体进行高纯氮气气氛下高温热处理，提高晶体近紫外波段（300～400nm）的透过率，从而更易于切伦科夫光和闪烁光的分离，更加有利于硅酸铋晶体在双读出量能器领域的应用。 |
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