| 专利名称 | 一种光响应敏感的碲化铋薄膜和硅基片形成的PN结材料 | 申请号 | CN201610183745.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107240620A | 公开（授权）日 | 2017.10.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 王振华;张志东;李名泽;杨亮;赵晓天;高翾 | 主分类号 | H01L31/109(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/109(2006.01)I;H01L31/0336(2006.01)I;H01L31/074(2012.01)I | 专利有效期 | 一种光响应敏感的碲化铋薄膜和硅基片形成的PN结材料 至一种光响应敏感的碲化铋薄膜和硅基片形成的PN结材料 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明的目的在于提供一种光响应敏感的碲化铋薄膜和硅基片形成的PN结材料，其特征在于：在P型硅基片上蒸发沉积N型碲化铋薄膜，得到碲化铋薄膜与P型硅基片形成的PN结材料，具有明显的单向导电特性。本发明以氙灯模拟光源，研究其在可以控制的波长或光强度下，碲化铋薄膜的光响应特性，发现该PN结材料在900-1000纳米波段响应最为显著。本发明所提供的PN结材料在紫外、可见及近红外波段具有强的光电转化能力，可以应用于光电/光伏电池和光敏器件。 |
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