| 专利名称 | 共面键合结构及其制备方法 | 申请号 | CN201710371231.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107226452A | 公开（授权）日 | 2017.10.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 熊斌;梁亨茂;刘松;徐德辉 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I | 专利有效期 | 共面键合结构及其制备方法 至共面键合结构及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种共面键合结构及其制备方法，所述制备方法包括步骤：a)提供一待键合的器件结构，所述器件结构包括至少两个定义的功能区，其中，各所述功能区均具有待引出面，且至少两个所述待引出面位于不同高度的平面；b)将各所述待引出面通过绝缘层和金属层交替形成的叠层结构引出至同一高度的平面上形成各键合引出面，以得到所述共面键合结构。本发明的共面键合结构可以解决真空或气密封装中键合平面不在同一高度的问题；实现真空或气密封装内部结构与器件外部的直接垂直互连；实现键合框架的绝缘和引线焊盘的电气导通；本发明的共面键合结构只需修改掩膜版相应位置的图形，并不增加额外的工序，极大地节约制造成本、提高生产效率。 |
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