| 专利名称 | 用于双极性阻变存储器的选择器件及其制备方法 | 申请号 | CN201610158468.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107204397A | 公开（授权）日 | 2017.09.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘明;罗庆;许晓欣;吕杭炳;龙世兵;刘琦 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/8239(2006.01)I | 专利有效期 | 用于双极性阻变存储器的选择器件及其制备方法 至用于双极性阻变存储器的选择器件及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种用于双极性阻变存储器的选择器件及其制备方法，该方法包括：提供基底；在基底上方形成下电极；在下电极上方形成第一金属氧化物层；对第一金属氧化物层进行退火处理，以使下电极内的金属原子扩散进入第一金属氧化物层，形成掺杂有金属原子的第一金属氧化物层；在掺杂有金属原子的第一金属氧化物层上方形成第二金属氧化物层；在第二金属氧化物层上方形成上电极层；对上电极层进行图形化，形成上电极。通过该方法制成的选择器件能够提供较高的电流密度，与阻变存储器串联后形成的1S1R结构能够有效抑制阻变存储器阵列中的串扰现象。而且，该选择器件具有较高的选择比和耐久性。 |
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