| 专利名称 | 一种大尺寸电阻率可调的碳化硅多晶陶瓷的生长方法 | 申请号 | CN201710213529.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107190322A | 公开（授权）日 | 2017.09.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所;上海硅酸盐研究所中试基地 | 发明（设计）人 | 高攀;忻隽;陈辉;刘学超;郑燕青;施尔畏 | 主分类号 | C30B29/36(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/36(2006.01)I;C30B28/12(2006.01)I;C30B28/14(2006.01)I | 专利有效期 | 一种大尺寸电阻率可调的碳化硅多晶陶瓷的生长方法 至一种大尺寸电阻率可调的碳化硅多晶陶瓷的生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种大尺寸电阻率可调的碳化硅多晶陶瓷的生长方法，采用石墨坩埚盛放碳化硅原料，其中石墨坩埚由石墨坩埚顶盖和石墨坩埚体构成，所述石墨坩埚内表面上设置有碳膜层，将碳化硅原料置于石墨坩埚体内，盖上所述石墨坩埚顶盖，放入生长炉中，并使所述石墨坩埚体的底部和/或下部位于加热区以使石墨坩埚体的底部的温度高于石墨坩埚顶盖的温度，采用物理气相传输方法或者高温化学气相沉积法在所述碳膜层表面生长碳化硅多晶陶瓷材料。本发明生长方法简易，所述碳化硅多晶陶瓷比传统碳化硅陶瓷性能更优异，其均匀性好，致密度更好，纯度更高，热导率更好。 |
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