| 专利名称 | 一种非极性面量子点发光二极管及其制备方法 | 申请号 | CN201710429863.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107170862A | 公开（授权）日 | 2017.09.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 赵桂娟;汪连山;李辉杰;孟钰淋;吉泽生;李方政;魏鸿源;杨少延;王占国 | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I | 专利有效期 | 一种非极性面量子点发光二极管及其制备方法 至一种非极性面量子点发光二极管及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种非极性面量子点发光二极管，包括衬底及依次叠置于所述衬底上的、均为非极性面的u型GaN层、n型GaN层、有源区、p型电子阻挡层及p型GaN层，其中：有源区包括周期分布的、非极性面的InGaN量子点势阱层和GaN势垒层。以及一种非极性面量子点发光二极管的制备方法。在衬底上依次叠置非极性面的外延结构，一方面可消除量子限制斯塔克效应对器件的内量子效率的影响，有效的消除极化效应；另一方面，此晶面取向的发光二极管的发光波长可以延伸到深绿光，甚至橙光区，能缓解当今化合物半导体发光器件中的“绿隙”(green?gap)问题。 |
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