| 专利名称 | 钒的氧化物各向异性刻蚀的方法 | 申请号 | CN201710334171.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107154331A | 公开（授权）日 | 2017.09.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李俊杰;李俊峰 | 主分类号 | H01J37/305(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J37/305(2006.01)I;H01C7/02(2006.01)I;H01C7/04(2006.01)I | 专利有效期 | 钒的氧化物各向异性刻蚀的方法 至钒的氧化物各向异性刻蚀的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种钒的氧化物各向异性刻蚀的方法。该方法包括以下步骤：S1，采用Cl基气体对VxOy层进行第一等离子体刻蚀，并在刻蚀的过程中通入O2和Ar；S2，采用包括N2、H2和Ar中至少一种的后处理气体对第一等离子体刻蚀后的VxOy层进行等离子处理。由于氯化物沸点相对氟化物高，从而使部分氯化生成物会沉积在侧壁保护侧壁不被继续横向钻蚀，且引入的Ar离子会溅射部分VxOy材质反沉积于侧壁起到保护作用；并且，由于Cl基气体易于空气中的H2O作用而产生的酸性物质，从而通过上述等离子处理能够将吸附于刻蚀表面的酸性物质去除或生成中性物质，进一步有效地避免了刻蚀表面后腐蚀现象的发生。 |
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