| 专利名称 | 镉基铁磁半导体材料及其制备方法 | 申请号 | CN201610115621.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107146676A | 公开（授权）日 | 2017.09.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 靳常青;陈碧娟;邓正 | 主分类号 | H01F1/40(2006.01)I | IPC主分类号 | H01F1/40(2006.01)I;H01F41/00(2006.01)I;H01L43/10(2006.01)I | 专利有效期 | 镉基铁磁半导体材料及其制备方法 至镉基铁磁半导体材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种镉基铁磁半导体材料及其制备方法，所述镉基铁磁半导体材料的化学式为(Sr1?xNax)(Cd1?yMny)2As2，其中x和y表示原子含量，0.03≤x≤0.25，0.03≤y≤0.25。本发明的镉基铁磁半导体材料纯度高、稳定性好、矫顽力小、铁磁转变温度高、具有负磁阻效应。 |
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