| 专利名称 | 磁性纳米线器件、其制作方法与磁性纳米线的构筑方法 | 申请号 | CN201710264857.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107123732A | 公开（授权）日 | 2017.09.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 龙世兵;李磊磊;滕蛟;刘琦;吕杭炳;刘明 | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L43/08(2006.01)I;H01L43/02(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y10/00(2011.01)I;B82Y25/00(2011.01)I | 专利有效期 | 磁性纳米线器件、其制作方法与磁性纳米线的构筑方法 至磁性纳米线器件、其制作方法与磁性纳米线的构筑方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请提供了一种磁性纳米线器件、其制作方法与磁性纳米线的构筑方法。该磁性纳米线器件包括依次叠置设置的衬底、第一电极层、绝缘层、原子阻挡层和第二电极层，其中，第一电极层与第二电极层中的一个电极层为铁磁电极层，另一个电极层为非磁性电极层，磁性纳米线器件还包括设置在铁磁电极层与绝缘层之间的原子阻挡层，原子阻挡层包括纳米通孔。本申请的磁性纳米线器件可以有效精确地控制磁性纳米线的宽度以及位置，实现了纳米线的限域与稳定。该磁性纳米线器件实现了磁电耦合效应，为研究新型多级存储器件提供了载体。 |
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