| 专利名称 | 一种稀铋半导体量子阱 | 申请号 | CN201710356260.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107123714A | 公开（授权）日 | 2017.09.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 岳丽;王庶民;张焱超;潘文武;王利娟 | 主分类号 | H01L33/06(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/06(2010.01)I;H01L33/30(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 专利有效期 | 一种稀铋半导体量子阱 至一种稀铋半导体量子阱 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种稀铋半导体量子阱，从下到上依次包括：下势垒层、含有铋元素的量子阱层和上势垒层；在稀铋量子阱层中间设有n型δ掺杂层，量子阱层的材料为GaXBi，下势垒层与上势垒层材料相同，为AlGaX或GaX，δ掺杂层的材料为S，Si，Se或Te，X为N，P，As，Sb。本发明引入δ掺杂层，有效扩展发光波长，与传统的通过增加Bi的含量扩展发光波长的GaAsBi量子阱相比，δ掺杂层的引入并没有增加材料的缺陷密度，而是使得量子阱对电子的束缚作用增强，不会降低发光强度，这对于扩展稀铋光电器件应用范围和提高器件性能都有重要的作用。 |
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