| 专利名称 | 一种氮化镓位置灵敏辐射探测器及其制备方法 | 申请号 | CN201710205623.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107093643A | 公开（授权）日 | 2017.08.25 | 申请（专利权）人 | 大连理工大学;中国科学院高能物理研究所 | 发明（设计）人 | 夏晓川;崔兴柱;梁红伟;梁晓华;刘雅清 | 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/117(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种氮化镓位置灵敏辐射探测器及其制备方法 至一种氮化镓位置灵敏辐射探测器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种氮化镓位置灵敏辐射探测器及其制备方法，属于半导体器件制备技术领域。探测器以半绝缘氮化镓单晶为衬底，其上依次生长n型氮化镓层、InGaN插入层、高阻氮化镓探测灵敏区、图形化p型氮化镓层和绝缘介质保护层；其中，InGaN插入层的宽度小于n型氮化镓层的宽度，InGaN插入层和高阻氮化镓探测灵敏区的宽度相同；多个图形化p型氮化镓层间隔排布在高阻氮化镓探测灵敏区上，图形化p型氮化镓层上制备上欧姆接触电极，n型氮化镓层上未被覆盖区域制备下欧姆接触电极；图形化p型氮化镓层外部为绝缘介质保护层。本发明解决了高性能氮化镓位置灵敏辐射探测器的制备难题，实现新型氮化镓位置灵敏辐射探测器的研制。 |
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