| 专利名称 | 窄带隙分布、高纯度半导体性单壁碳纳米管的制备方法 | 申请号 | CN201610088012.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107089652A | 公开（授权）日 | 2017.08.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 刘畅;张峰;侯鹏翔;成会明 | 主分类号 | C01B32/162(2017.01)I | IPC主分类号 | C01B32/162(2017.01)I;C01B32/159(2017.01)I;B01J23/75(2006.01)I;B01J23/745(2006.01)I;B01J23/888(2006.01)I;B01J23/89(2006.01)I | 专利有效期 | 窄带隙分布、高纯度半导体性单壁碳纳米管的制备方法 至窄带隙分布、高纯度半导体性单壁碳纳米管的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及半导体性单壁碳纳米管的可控制备领域，具体为一种部分碳包覆金属催化剂制备窄带隙分布、高纯度半导体性单壁碳纳米管的方法。采用嵌段共聚物自组装方法，制备尺寸均匀的共聚物薄膜包覆金属阴离子纳米团簇；通过控制溶剂退火、氧化、还原条件，获得单分散、部分碳包覆的金属催化剂纳米颗粒；再以氢气为原位刻蚀气体，直接生长窄带隙分布、高纯度半导体性单壁碳纳米管。其中半导体性单壁碳纳米管的含量大于98％，带隙差最小为0.05eV且可调。本发明实现窄带隙分布、高纯度半导体性单壁碳纳米管的直接可控生长，突破现阶段高纯度、窄带隙分布半导体性单壁碳纳米管控制制备的瓶颈，证实其是构建薄膜场效应晶体管的理想沟道材料。 |
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