| 专利名称 | 硅基电注入激光器及其制备方法 | 申请号 | CN201710255128.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107069430A | 公开（授权）日 | 2017.08.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 王梦琦;李稚博;周旭亮;李亚节;王鹏飞;潘教青 | 主分类号 | H01S5/323(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/323(2006.01)I | 专利有效期 | 硅基电注入激光器及其制备方法 至硅基电注入激光器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种硅基电注入激光器及其制备方法，该制备方法包括：在绝缘硅衬底的上表面生长SiO2层，并在SiO2层的中间位置刻蚀出贯穿SiO2层的第一矩形槽；腐蚀绝缘硅衬底，在与第一矩形槽相对应的位置，形成与第一矩形槽等宽的V型槽；在V型槽和第一矩形槽内生长形成N型位错限制层、N型缓冲层和外延结构；腐蚀去除SiO2层的剩余部分，完成硅基电注入激光器的制备。本发明由于直接外延采用选区V型槽工艺，不易产生缺陷及反相畴，并可大大降低缓冲层的厚度，因此器件的总体厚度小，降低了硅基光电集成中其余器件工艺实施的难度。 |
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