| 专利名称 | 环形腔面发射差频太赫兹量子级联激光器结构 | 申请号 | CN201710472687.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107069432A | 公开（授权）日 | 2017.08.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 程凤敏;张锦川;贾志伟;赵越;周予虹;刘峰奇;王利军;刘俊岐;刘舒曼;王占国 | 主分类号 | H01S5/34(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/34(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I;H01S1/02(2006.01)I | 专利有效期 | 环形腔面发射差频太赫兹量子级联激光器结构 至环形腔面发射差频太赫兹量子级联激光器结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种环形腔面发射差频太赫兹量子级联激光器的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上依序生长下波导层、下光学限制层、第一有源层、间隔层、第二有源层、上光学限制层和上波导层；步骤2：移除上波导层，在上光学限制层上呈放射状向下刻蚀多条光栅，形成一个双周期的环形光栅；步骤3：在刻蚀后的上光学限制层上重新生长上波导层；步骤4：在上波导层上向下刻蚀一环形脊结构，刻蚀深度到达下光学限制层；步骤5：在刻蚀后的环形脊结构的沟槽中填满半绝缘InP：Fe；步骤6：在沟槽中填满半绝缘InP：Fe的环形脊结构上蒸发正面金属电极，镀金；步骤7：将衬底减薄，抛光，在衬底的背面蒸发背面金属电极；步骤8：刻蚀金属电极，制备出二级环形表面金属光栅，完成制备。 |
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