| 专利名称 | 测量以半导体为衬底的石墨烯微区迁移率的方法 | 申请号 | CN201710197142.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107037284A | 公开（授权）日 | 2017.08.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 钟海舰;刘争晖;徐耿钊;徐科 | 主分类号 | G01R31/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G01R31/00(2006.01)I | 专利有效期 | 测量以半导体为衬底的石墨烯微区迁移率的方法 至测量以半导体为衬底的石墨烯微区迁移率的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种测量以半导体为衬底的石墨烯微区迁移率的方法，包括步骤：在半导体衬底表面覆盖石墨烯以形成石墨烯微区，并配置与石墨烯微区接触的导电探针；将导电探针与扫描开尔文探针力显微镜连接，以测量石墨烯微区的实际功函数，从而获得石墨烯微区与半导体衬底之间的势垒高度φBn0；将导电探针与导电原子力显微镜连接，以采集石墨烯微区的电流?电压曲线；根据石墨烯微区与半导体衬底之间的势垒高度φBn0以及热电子发射模型对电流?电压曲线进行分析拟合，得到导电探针与石墨烯微区的有效接触半径；根据导电针尖与石墨烯微区的有效接触半径以及实际接触半径，计算石墨烯微区迁移率μ的值。本发明可实现以任意半导体为衬底的石墨烯微区迁移率的测量。 |
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