| 专利名称 | 一种超长单壁碳纳米管水平阵列、制备方法及反应装置 | 申请号 | CN201710142068.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106957051A | 公开（授权）日 | 2017.07.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 杨丰;周维亚;王艳春;解思深 | 主分类号 | C01B32/162(2017.01)I | IPC主分类号 | C01B32/162(2017.01)I;C01B32/164(2017.01)I;C01B32/159(2017.01)I | 专利有效期 | 一种超长单壁碳纳米管水平阵列、制备方法及反应装置 至一种超长单壁碳纳米管水平阵列、制备方法及反应装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种利用稳定气流制备性质均一超长单壁碳纳米管水平阵列、制备方法及反应装置，涉及纳米材料研究领域。制备方法包括如下步骤：在还原气氛中将催化剂前驱体还原为有活性的催化剂后快速降温至非反应温度。将第二衬底与载有有活性的催化剂的第一衬底共同置于具有碳源的稳定的层流气氛中，再快速升温至生长温度反应得到超长单壁碳纳米管水平阵列。反应装置至少包括反应腔体和加热装置，反应腔体能够迅速升温和降温以达到反应所需的温度要求。本发明的方法与装置能保证得到的超长碳纳米管在稳定的层流中准直平行排列，能高效地可控制备无缺陷的性质均一、高准直性、高平行性、高密度的超长单壁碳纳米管水平阵列。 |
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