| 专利名称 | 硒硅铜钡和硒硅铜钡中远红外非线性光学晶体及制备方法和用途 | 申请号 | CN201710388528.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106978630A | 公开（授权）日 | 2017.07.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 潘世烈;年乐颜;武奎 | 主分类号 | C30B29/46(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/46(2006.01)I;C30B1/10(2006.01)I;G02F1/355(2006.01)I;G02F1/37(2006.01)I | 专利有效期 | 硒硅铜钡和硒硅铜钡中远红外非线性光学晶体及制备方法和用途 至硒硅铜钡和硒硅铜钡中远红外非线性光学晶体及制备方法和用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种硒硅铜钡和硒硅铜钡中远红外非线性光学晶体及制备方法和用途，其化学式为BaCu2SiSe4，分子量608.35，该晶体为三方晶系，空间群是非中心对称空间群P3221，晶胞参数为a=b=6.4188(19)?，c=16.083(10)?，α=β=90°，γ=120°、Z=3，单胞体积V=573.9(5)?3；采用固相反应法制成，本发明的硒硅铜钡及硒硅铜钡中远红外非线性光学晶体的粉末XRD谱图与理论值吻合；在2090?nm的激光照射下，颗粒度为55?88μm?的BaCu2SiSe4倍频效应是同等颗粒度下硫镓银（AgGaS2）的1.6倍。 |
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