| 专利名称 | 一种ZnSe纳米线及其制备方法和应用 | 申请号 | CN201710217642.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106929820A | 公开（授权）日 | 2017.07.07 | 申请（专利权）人 | 国家纳米科学中心 | 发明（设计）人 | 亚瑟·阿巴斯;张凯;宫建茹 | 主分类号 | C23C16/30(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/30(2006.01)I;C23C16/02(2006.01)I;C25B1/04(2006.01)I;C03C17/34(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种ZnSe纳米线及其制备方法和应用 至一种ZnSe纳米线及其制备方法和应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种ZnSe纳米线及其制备方法和应用，该ZnSe纳米线沿<100>晶向生长，具有闪锌矿结构，其平均直径为20?80nm，长度为0.5?10μm，尺寸均匀，结晶度良好，无堆垛层错等结构缺陷。本发明通过将ZnSe粉末作为反应前驱物，以金作为催化剂，利用化学气相沉积法在FTO导电玻璃或SnO2单晶基片衬底上生长得到ZnSe纳米线。该纳米线可用于构建太阳能电池、光电探测器、纳米激光器等光电子器件，尤其在太阳能光电催化分解水制氢方面表现优异，具有良好的应用前景。 |
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