| 专利名称 | Si掺杂氮化镓/金属负极电池材料及其制备方法、锂电池 | 申请号 | CN201710248369.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106935852A | 公开（授权）日 | 2017.07.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 黄鹏;李洋;袁国栋;李晋闽 | 主分类号 | H01M4/58(2010.01)I | IPC主分类号 | H01M4/58(2010.01)I;H01M10/0525(2010.01)I | 专利有效期 | Si掺杂氮化镓/金属负极电池材料及其制备方法、锂电池 至Si掺杂氮化镓/金属负极电池材料及其制备方法、锂电池 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种Si掺杂氮化镓/金属负极电池材料及其制备方法、锂电池。上述Si掺杂氮化镓/金属负极电池材料包括：金属衬底；以及形成于金属衬底上方的Si掺杂氮化镓薄膜，具有疏松多孔结构，为晶态与非晶态的混合态。Si掺杂氮化镓/金属负极电池材料的比表面积较大，并且Si3N4四面体结构及Si3N4四面体与Ga原子构成的稳定的开放性三维框架结构，在增强锂离子输运效率的同时也避免了在锂离子嵌入脱出过程中因结构坍塌导致的电化学活性降低问题，具有较高的储锂容量和稳定的循环特性，为发展高性能锂电池提供了新的选择。 |
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