| 专利名称 | Si/GeTe纳米复合多层相变薄膜、相变存储器及其制备方法 | 申请号 | CN201511015761.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106935701A | 公开（授权）日 | 2017.07.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海高等研究院 | 发明（设计）人 | 汪昌州;刘东方;张伟;杨康 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | Si/GeTe纳米复合多层相变薄膜、相变存储器及其制备方法 至Si/GeTe纳米复合多层相变薄膜、相变存储器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种Si/GeTe纳米复合多层相变薄膜、相变存储器及其制备方法，所述Si/GeTe纳米复合多层相变薄膜包括Si薄膜及GeTe薄膜，所述Si薄膜与所述GeTe薄膜交替排列形成多层薄膜结构。通过磁控交替溅射方法将相变材料GeTe和非相变材料Si在纳米量级进行复合形成多层相变薄膜结构，由于热稳定性的Si材料存在，Si/GeTe纳米复合多层薄膜能有效的提高相变薄膜材料的结晶温度，拓宽了相变材料的温度适用范围。随着周期单元中Si层厚度的增加，纳米复合多层薄膜的结晶温度也随之增加，因此，可以通过对Si层和GeTe层厚度比的调控，调节Si/GeTe纳米复合多层薄膜的结晶温度，从而达到改善相变薄膜热稳定性的目的。 |
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