| 专利名称 | 一种d10过渡金属炔化物二维纳米片及其制备方法 | 申请号 | CN201511024677.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106928257A | 公开（授权）日 | 2017.07.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 张辰;魏晨阳;步文博;施剑林 | 主分类号 | C07F1/08(2006.01)I | IPC主分类号 | C07F1/08(2006.01)I;C07F1/10(2006.01)I;C07F3/10(2006.01)I;C07F15/00(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种d10过渡金属炔化物二维纳米片及其制备方法 至一种d10过渡金属炔化物二维纳米片及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种d10过渡金属炔化物二维纳米片及其制备方法，所述d10过渡金属炔化物二维纳米片具有单晶结构，所述d10过渡金属炔化物中?d10过渡金属与炔源的摩尔比为1：1～1：1.2。本发明的d10过渡金属炔化物二维纳米片，具有单晶结构，厚度均一，分散性良好。由于其特有的类石墨烯的共轭结构，这种结构使得材料具有较高的面内载流子浓度，可以用作为助电子传导的助催化剂或者二维光电感应材料，有望应用于催化、光电以及生物等领域。 |
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