| 专利名称 | 一种锰掺杂的钛镁酸铋-钛酸铅压电单晶及其制备方法 | 申请号 | CN201511026067.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106929918A | 公开（授权）日 | 2017.07.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 田彦锋;许桂生;刘锦峰;朱秀 | 主分类号 | C30B29/32(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/32(2006.01)I;C30B9/12(2006.01)I | 专利有效期 | 一种锰掺杂的钛镁酸铋-钛酸铅压电单晶及其制备方法 至一种锰掺杂的钛镁酸铋-钛酸铅压电单晶及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种锰掺杂的钛镁酸铋-钛酸铅压电单晶及其制备方法，所述锰掺杂的钛镁酸铋-钛酸铅压电单晶具有ABO3型复合钙钛矿结构，其化学组成为(1-x)Bi(Mg1/2Ti1/2)O3-xPbTiO3+αMnO2；式中，0.14≤x≤0.42，x表示PbTiO3组分的摩尔比，锰离子作为掺杂离子取代B位，其掺杂浓度在0.1mol%≤α≤5mol%。本发明采用助溶剂方法，在化料前先进行预烧处理，与化料前不进行预烧处理相比，制备的单晶成分更为均匀，通过MnO2掺杂改性，降低了该体系的漏电流和介电损耗，使极化更为充分，提高了压电性能，高温应用潜力巨大。 |
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