| 专利名称 | 一种硅银碳纳米杂化材料及其制备方法和应用 | 申请号 | CN201710159783.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106941156A | 公开（授权）日 | 2017.07.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 程亚军;尹珊珊;方凯;谢双;姬青;朱锦 | 主分类号 | H01M4/36(2006.01)I | IPC主分类号 | H01M4/36(2006.01)I;H01M4/38(2006.01)I;H01M4/62(2006.01)I;H01M10/0525(2010.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种硅银碳纳米杂化材料及其制备方法和应用 至一种硅银碳纳米杂化材料及其制备方法和应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开一种硅银碳纳米杂化材料及其制备方法和应用。硅银碳纳米杂化材料由硅纳米粒子、超小银纳米粒子分布在连续碳基质内，银纳米粒子尺寸范围在1nm～5nm。该材料是采用超声方法将银盐溶解在环氧树脂的固化剂多元胺中，经固化，煅烧制备而成。本发明所制得的连续碳基质有效的抑制了硅在循环过程中的体积效应，实验通过技术改性，在硅碳负极中引入了超小银纳米粒子，超小银纳米粒子的存在有利于在充放电过程中形成更多发射电场，从而构建出高速导电通道，实现了硅基负极倍率性能大幅度改善。 |
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