| 专利名称 | 三维非易失性存储器件及其制造方法 | 申请号 | CN201710218226.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106910743A | 公开（授权）日 | 2017.06.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 雷宇;陈后鹏;许震;宋志棠 | 主分类号 | H01L27/115(2017.01)I | IPC主分类号 | H01L27/115(2017.01)I;H01L27/11578(2017.01)I | 专利有效期 | 三维非易失性存储器件及其制造方法 至三维非易失性存储器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种三维非易失性存储器件及其制备方法，三维非易失性存储器件的制备方法包括如下步骤：1)提供一基板，于基板表面形成第一绝缘层和第一导电层交替叠置的第一叠层结构；2)于所述第一叠层结构的至少一侧形成与所述第一叠层结构平行间隔的第二叠层结构，所述第二叠层结构包括交替叠置的第二绝缘层和第二导电层，相邻的所述第一导电层与所述第二导电层位于不同的平面上；3)于所述第一叠层结构及所述第二叠层结构之间形成至少一个环形非易失材料层，所述环形非易失材料层与所述第一导电层及所述第二导电层相接触；4)于所述环形非易失材料层内侧形成一导电柱。本发明的三维非易失性存储器件具有存储密度高、存储单元串扰小等优点。 |
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