| 专利名称 | 一种在绝缘衬底上制备图形石墨烯的方法 | 申请号 | CN201510952653.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106904599A | 公开（授权）日 | 2017.06.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 狄增峰;汪子文;戴家赟;王刚;郑晓虎;薛忠营;张苗;王曦 | 主分类号 | C01B32/186(2017.01)I | IPC主分类号 | C01B32/186(2017.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种在绝缘衬底上制备图形石墨烯的方法 至一种在绝缘衬底上制备图形石墨烯的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种在绝缘衬底上制备图形石墨烯的方法，包括：1）提供一绝缘衬底，于绝缘衬底上沉积锗薄膜；2）采用光刻刻蚀工艺于锗薄膜中刻蚀出所需图形，形成图形锗薄膜；以及步骤3）以所述图形锗薄膜为催化剂，在高温下生长石墨烯，同时，图形锗薄膜在高温下不断蒸发，并最终被全部去除，获得结合于绝缘衬底上的图形石墨烯。本发明通过在绝缘衬底上制备锗薄膜，并光刻刻蚀所述锗薄膜形成所需图形后，催化生长石墨烯，并在生长的同时将锗薄膜蒸发去除，获得绝缘体上图形石墨烯，克服了采用光刻刻蚀工艺对石墨烯进行刻蚀所带来的光刻胶等污染，提高了绝缘体上图形石墨烯材料的质量及性能。采用本发明的方法可以获得质量很高的图形石墨烯。 |
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