| 专利名称 | 一种干法转移金属衬底上石墨烯的方法 | 申请号 | CN201510933644.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106882792A | 公开（授权）日 | 2017.06.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张燕辉;于广辉;葛晓明;张浩然;陈志蓥;隋妍萍;邓荣轩 | 主分类号 | C01B32/184(2017.01)I | IPC主分类号 | C01B32/184(2017.01)I | 专利有效期 | 一种干法转移金属衬底上石墨烯的方法 至一种干法转移金属衬底上石墨烯的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种干法转移金属衬底上石墨烯的方法，包括：1）将长有石墨烯的金属衬底置于目标衬底上，并将所述石墨烯面朝目标衬底；2）将放置好的长有石墨烯的金属衬底和目标衬底放入反应器中，在保护气氛下，升温至金属衬底熔化温度或以上，使所述金属衬底熔化收缩成金属小球，所述石墨烯附着于目标衬底上，保温预设时间后在保护气氛下降至室温，以将所述石墨烯转移至目标衬底上。本发明的方法重复性高、简单易行，用于微电子和光电子领域用高质量石墨烯的规模批量转移；本发明转移过程属于物理过程且无需其他液态或者固态试剂辅助，转移过程不会引入其他杂质，可有效避免非故意掺杂，降低了转移过程对石墨烯电学性能的影响。 |
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